Die elektronische struktur der asbedeckten gaas111oberflache
Die elektronische struktur der asbedeckten gaas111oberflache
- ISBN: 9783838613222
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ISBN: 9783838613222 Géneros: PH Sinópsis: InhaltsangabeProblemstellung In den letzten Jahren wurden die polaren Oberflachen von IIIVHalbleitern in zunehmendem Maße mit Molekularstrahlepitaxie MBE=molecular beam epitaxy hergestellt Die so erhaltenen sauberen Oberflachen mussen beim Transport durch die Atmosphare vor Verunreinigungen und Oxidation geschutzt werden Dazu wurde von Kowalczyk et al 1 die Technik entwickelt die Proben vor dem Ausbau aus der MBEKammer mit einem dicken Film elementaren As zu passivieren Fur die weitere Anwendung oder Untersuchung der Probe kann die AsSchutzschicht dann durch Heizen der Probe entfernt werden Wahrend des Abheizprozesses konnen sich verschiedene Phasen der Oberflache ausbilden die sich in ihrer Struktur ihrer chemischen Zusammensetzung und ihren elektronischen Eigenschaften unterscheiden Will man an der Probe dann oberflachensensitive Experimente beispielsweise Photoelektronenholographie 2 durchfuhren oder die technologisch bedeutsame Ausbildung von SchottkyBarrieren nach MetallDeposition 3 4 untersuchen so ist aus den genannten Grunden eine genaue Kenntnis des Abheizprozesses wunschenswert Die Untersuchung des Abheizprozesses und der dabei erhaltenen Oberflachen hat sich in der Vergangenheit in erster Linie auf die GaAs100Oberflache und ihre unterschiedlichen Rekonstruktionen beschrankt 318 In dieser Arbeit wird das Abheizen einer AsSchutzschicht von einer GaAs111Oberflache untersucht Die Charakterisierung der durch das Abheizen erhaltenen Oberflachen erfolgt dabei mittels winkelaufgeloster Photoemission Auch wird versucht die Moglichkeiten der winkelaufgelosten Photoemission in Verbindung mit Synchrotronstrahlung zur Bestimmung der Valenzbandstruktur zu nutzen Im ersten Kapitel dieser Arbeit werden daher zunachst die Grundlagen der Photoemission sowie die Analyse der durch die Experimente erhaltenen Daten erlautert Anschließend werden einige fur das Verstandnis der Arbeit wichtige Eigenschaften der GaAs111
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